SK海力士印第安纳先进封装厂奠基：逾40亿美元、2029年下半年量产新一代HBM

SK海力士8月28日发布新闻稿称，公司已于美国当地时间8月27日在印第安纳州西拉法叶的普渡大学 Holloway Gymnasium 举行先进封装厂奠基仪式。这是其在美国的首个高带宽存储器（HBM）生产基地，韩国生产的晶圆将运往当地完成先进封装与测试，再以“美国制造”供应美国客户。

公司预计总投资超过40亿美元，洁净室计划于2028年10月启用，新一代HBM量产定于2029年下半年。正式运营后，该厂预计约有1000名员工，并同步建设先进封装研发试验平台，与普渡大学签署研发合作备忘录。奠基仪式有印第安纳州州长 Mike Braun、联邦参议员 Todd Young、普渡大学校长 Mitch Daniels 以及韩国驻美大使康京和等出席，SK海力士CEO郭鲁正称公司希望成为美国“最受信赖的合作伙伴”。