日本 Resonac 研发 300 毫米碳化硅晶圆，单片芯片产出有望增至四倍
日经报道，Resonac 成为日本首家开发出 300 毫米碳化硅衬底的企业，相较现主流尺寸可显著提升单片芯片产量。
据日经亚洲 9 月 29 日报道，日本半导体材料商 Resonac Holdings 已开发出 300 毫米碳化硅（SiC）衬底，成为日本首家达成该尺寸的企业。相较现行主流尺寸，更大的衬底有望将单片可切割的集成电路数量提升约四倍。
碳化硅功率器件因损耗更低、发热更少，正广泛应用于电动车与可再生能源等领域。Resonac 目前主要供应 150 毫米 SiC 外延片，并已开始出货 200 毫米产品；300 毫米尺寸仍处研发阶段，商业化尚待推进。
该公司官方新闻稿也确认已成功生长并加工 300 毫米 SiC 单晶衬底，并将其定位为面向下一代电力电子与高性能封装材料的技术里程碑。