长鑫存储称 G5 DRAM 已量产：无 ASML EUV，靠多重曝光推至约 11.95nm
CXMT 在合肥宣布第五代 DRAM 平台量产，展示两款 24Gb LPDDR5X，称采用自对准四重曝光而非 EUV。
据 Startup Fortune 等报道，中国长鑫存储（CXMT）在 2026 年世界制造业大会期间公布第五代 DRAM 平台进展：存储阵列有效半节距约为 11.95 纳米，并展示两款面向手机等便携设备的 24Gb LPDDR5X 芯片，称已进入量产。
公司称该节点未使用 ASML 极紫外（EUV）光刻，而是依靠自对准四重曝光等多重图形化工艺在深紫外设备上推进。报道援引 Counterpoint 数据称，CXMT 全球 DRAM 营收份额在 2026 年第二季度升至约 10%。文中亦提醒：毛晶圆出货提升不等于良率与高端 HBM 竞争力，独立基准与客户出货量仍待验证。