长鑫存储宣布第五代 DRAM 平台 G5 量产，24Gb LPDDR5X 进旗舰机

中国日报网9月20日报道，长鑫存储（CXMT）在合肥世界制造业大会上宣布第五代 DRAM 技术平台（G5）正式量产。副总裁罗晓东表示，基于 G5 的新品已“全面进入”国内主流旗舰智能手机，但未点名具体厂商与机型；他称工艺能力已与行业最先进量产节点相当。

公司称 G5 依托四重曝光，将存储阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，并实现约45:1的电容深宽比，以及适配 DRAM 的 HKMG 工艺。两款量产 LPDDR5X 单颗容量均为24Gb，较上一代同类产品提升50%，分别采用496球与245球封装；按8Gb等效口径，每片晶圆可产出裸片数较第四代平台至少提升50%。报道强调该半间距是阵列物理特征尺寸，而非逻辑芯片节点命名。